紅外非線性光學(xué)晶體作為激光頻率轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件，在全固態(tài)激光器中具有重要的應(yīng)用。當(dāng)前商用的紅外非線性光學(xué)晶體主要包括黃銅礦型化合物如AgGaS2 (AGS)， AgGaSe2和ZnGeP2 (ZGP)等。然而，由于各自本征的性能缺陷，這些材料已不能完全滿足當(dāng)前長波紅外激光技術(shù)發(fā)展的需求，亟需突破現(xiàn)有材料性能的限制，發(fā)展高性能新型長波紅外非線性光學(xué)材料。
 

　　中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所晶體研究中心一直致力于新型紅外非線性光學(xué)晶體的研究。近期科研人員通過系統(tǒng)分析現(xiàn)有紅外非線性光學(xué)材料的性能來源，提出協(xié)同組裝優(yōu)勢基元構(gòu)建新型紅外非線性光學(xué)材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計思路，并以家族為模板，實現(xiàn)了該家族硒化物帶隙及二階非線性光學(xué)效應(yīng)的有效調(diào)控，獲得了兩例長波紅外非線性光學(xué)材料SrCdSiSe4(Ama2)和BaCdSiSe4(Fdd2)。這兩例化合物具有強的二階非線性光學(xué)響應(yīng)(~ 2.1-2.7 × AgGaS2)，硒化物中寬的帶隙(~ 2.67-2.78 eV)，且激光損傷閾值達到商用AgGaS2材料的4倍，有望用于高效、高功率長波紅外激光的輸出。值得一提的是，SrCdSiSe4為一同成分熔融化合物(熔點：870 oC)，具有較好的晶體生長習(xí)性，有利于實用化大尺寸單晶的生長。同時，實驗及計算的結(jié)果表明，SrCdSiSe4和BaCdSiSe4化合物中優(yōu)異的綜合性能主要歸因于[AIISe8],[CdSe4] and [SiSe4]優(yōu)勢基元的協(xié)同組裝。這一結(jié)果將激勵科研人員通過協(xié)同組裝優(yōu)勢基元探索更多性能優(yōu)異的新型紅外光電功能材料。
 

　　相關(guān)研究成果以全文形式發(fā)表在Wiley公司出版的《先進功能材料》(Advanced Functional Materials)上，新疆理化技術(shù)研究所為唯一完成單位，新疆理化技術(shù)研究所晶體材料研究中心潘世烈和李俊杰研究員為通訊作者，博士研究生王宏善為第一作者。該研究工作得到中國科學(xué)院人才計劃、中國科學(xué)院先導(dǎo)專項B類、國家自然科學(xué)基金及新疆自治區(qū)自然科學(xué)基金等項目的資助。
 

圖1. 協(xié)同組裝優(yōu)勢結(jié)構(gòu)基元實現(xiàn)紅外非線性光學(xué)材料中關(guān)鍵性能的平衡。