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WMS-208AT型激光非接觸式厚度分選機

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WMS-208AT型激光非接觸式厚度分選機設備性能及技術參數:1.設備功能實現全自動對碳化硅、單晶硅、多晶硅、鍺、砷化鎵、藍寶石、陶瓷板、手機面板玻璃、藍玻璃、石英晶體片材等各種WAFER平板材料厚度等幾何特征及電學參數的精確測量及記錄

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WMS-208AT型激光非接觸式厚度分選機
WMS-208AT型激光非接觸式厚度分選機

設備性能及技術參數: 1.設備功能

實現全自動對碳化硅、單晶硅、多晶硅、鍺、砷化鎵、藍寶石、陶瓷板、手機面板玻璃、藍玻璃、石英晶體片材等各種 WAFER 平板材料厚度等幾何特征及電學參數的精確測量及記錄。

2.適用范圍

可用于測量工件尺寸為 Φ2---Φ8(INCH)直徑的圓形及方型晶片或其它任意材質的平板。

3.測量精度及量程

厚度量程:100---1800um,測量精度與 WAFER 表面光潔度有些許聯系, 即:

測量重復精度(半導體類雙拋表面 WAFER):±0.5um ;

測量重復精度(半導體類研磨表面 WAFER): ±1um ;


測量重復精度(藍寶石類單拋表面 WAFER):±2um ; 4.工作模式選擇

本機共有五種測量模式以對應用戶不同的需求。

4.1 標準一電測量:按照半導體行業標準對 WAFER 中心點的厚度進行測量。

4.2 標準 5 點測量:按照半導體行業標準對 WAFER 的靠近邊沿的 4左上、左下、右上及右下)及中心點的厚度進行測量。

4.3 企業內部標準一點測量:用戶自己定義的 WAFER 缺口附近的一個點的厚度進行測量。

4.420 點以內隨機點測:用戶自己根據生產需要可以在 20 個點以內,用鼠標WAFER 上選擇任意位置并對其厚度進行測量。

4.5 連續點測量:在由兩個端點確定的一條直線路徑上可以進行 100 點的連續厚度測量以檢查晶片的表面形態。

5.分選速度

為了保證不造成對 WAFER 表面造成損傷,研究人員建議的安全分選速度為:

>單點或中心測量模式速度: ≥130 片/小時

>標準 5 點測量速度:≥110 片/小時


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